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120V SGT工藝N-Channel MOSFET
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新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.采用揚杰科技SGT特殊工藝制程,根據電機驅動(dòng)和電源應用要求,優(yōu)化導通內阻(Rdson)和 柵極電荷(Qg)性能,降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,提升系統效率;
2.解決高速Gan電源應用時(shí)di/dt大帶來(lái)的副邊電壓尖峰高的問(wèn)題,提升產(chǎn)品整體的可靠性。
產(chǎn)品特點(diǎn) 1.采用揚杰科技SGT特殊工藝制程設計,具有更高的工藝穩定性和可靠性;
2.系列產(chǎn)品具有更快的開(kāi)關(guān)速度,更小的柵電荷和更高的應用效率;
3.采用PDFN5060封裝,更好的熱阻特性。
規格書(shū)

YJG88G12A

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